Главная » Наука и технологии » Инженеры анонсировали 12-нм технологию изготовления мощных чипов с низкой задержкой
Дата публикации: 10.08.2019
Просмотров: 23



Инженеры анонсировали 12-нм технологию изготовления мощных чипов с низкой задержкой


Компания GlobalFoundries анонсировала чипы высокой плотности с объёмной компоновкой, созданные на архитектуре ARM по 12-нанометровому техпроцессу. Инженеры уверяют, что построенные по этой технологии решения обеспечивают более высокую производительность и низкую задержку, а также увеличивает пропускную способность мобильных SoC.

Globalfoundries

При создании процессоров нового поколения применяется разработка ARM Mesh Interconnect, позволяющая соединить ядра наименьшими связующими, что приводит к росту скорости передачи данных и снижению задержек. С помощью новой методологии 3D Design-for-Test (DFT) с использованием гибридного сцепления пластин специалистам удалось разместить почти 1 миллион соединений на 1 квадратном миллиметре.

GlobalFoundries обещает, что чипы значительно энергоэффективнее ныне представленных ARM-решений. В ходе изготовления используется технология FinFET GF 12LP, отвечающая 12-нанометровым стандартам. 

«Технология 3D-межсоединений от компании ARM позволяет полупроводниковой промышленности дополнить закон Мура для решения более разнообразных компьютерных задач», — сказал Эрик Хенненненхофер, вице-президент ARM Research. 

Источник: globalfoundries.com